针对射频功率放大器优化的 LDMOS 功率晶体管

STMicroelectronics 为 STPOWER 系列LDMOS 晶体管增加了广泛的新器件，该系列 包括三个不同的产品系列，针对各种商业和工业应用中的射频功率放大器 (PA) 进行了优化。

STPOWER LDMOS 器件具有高效率、低热阻和封装以处理高射频功率，结合了短传导通道长度和高击穿电压。这些特性允许具有低功耗和高可靠性的经济高效的解决方案。

新的 STPOWER LDMOS IDCH 和 IDDE 系列扩展了可处理的应用范围，是 28V/32V 共源 N 沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。IDCH 器件提供 8W 至 300W 的输出功率，专为高达 4GHz 的应用而设计，包括 2.45GHz 工业、科学和医疗 (ISM)、无线基础设施、卫星通信以及航空电子设备和雷达设备。LDMOS 器件适用于所有类型的调制格式。

IDDE 系列包含 10W-700W 设备，适用于频率高达 1.5GHz 的宽带商业、工业和科学应用。这些器件可以承受所有相位的 10:1 负载 VSWR（电压驻波比）。它们适用于所有典型调制格式，以及大多数射频 PA 操作类别，包括 A 类、AB 类和 C 类。它们的高效率最大限度地减少了提供所需输出功率所需的能量，从而降低了操作成本并减少了热量耗散从而简化热管理并实现更紧凑的系统。

ST 还推出了新的 IDEV 系列器件，采用 50V 共源、N 沟道增强模式、横向场效应、射频功率晶体管技术。IDEV 产品组合的输出功率从 15W 到 2.2kW，专为频率高达 250MHz 的 ISM 应用而设计，包括驱动 88MHz-108MHz 范围内的高功率 CO 2激光器、等离子发生器、MRI 系统、广播 FM 无线电发射机，以及高达 1.5GHz 的航空电子设备和雷达应用。它们适用于所有典型调制格式以及 A 类、AB 类和 C 类的 PA 操作。

坚固耐用的 IDEV 系列能够提供高达 2.2kW 的连续波 (CW) 输出功率，从 HF (3-30MHz) 频率到高达 250MHz。这些器件通过单个陶瓷封装提供高功率，减少了广播发射机等大功率应用所需的射频功率晶体管总数。超过 82% 的电源效率可最大限度地降低系统电源需求，并通过简单的热管理确保高可靠性。